No hay duda de que el silicio como material ha revolucionado el mundo en que vivimos y ha sido la razón de muchos de los logros y los avances tecnológicos. Los transistores de silicio basados son la clave para todos los chips de computadoras y los procesadores de teléfonos inteligentes que vemos hoy. En nuestra búsqueda de mejores y más rápidos los dispositivos electrónicos, nos hizo tropezar con el silicio y ahora lo han llevado a su extremo absoluto en términos de rendimiento y tamaño. Los dispositivos de silicio basados no se puede conseguir más pequeños de lo que son ahora y los investigadores se han movido en la dirección de el grafeno como material potencial con el que conseguir tecnologías mas avanzadas.
El grafeno se basa en una sola capa de átomos de carbono que se organizan en una estructura de panal, en un intento de sintetizar los semiconductores y componentes de circuitos que se utilizan. Un equipo de científicos de la Universidad de Wisconsin en Milwaukee (UW-M) en Estados Unidos, dirigidos por Junhong Chen (ingeniería mecánica) y Marija Gajdardziska (física) tropezó con el Monóxido de grafeno como posible solución para desarrollar semiconductores. El descubrimiento que se realizo de forma accidental, ya que estaban tratando de obtener puras hojas de grafeno a partir de su investigación a partir de óxido de grafeno. El calentamiento de óxido de grafeno a diferentes temperaturas produjo cuatro sustancias diferentes que el equipo bautizo como el grafeno de monóxido de carbono (OGM).
El monóxido de grafeno es un descubrimiento reciente y tardara mucho tiempo, hasta que los investigadores comprendan todo su potencial. El equipo admite que todavía tienen que probar cómo responde OGM a diferentes temperaturas y cuan estable puede estar en condiciones reales de trabajo. La comprensión de cómo el calor afecta el monóxido de grafeno es el siguiente gran paso hacia adelante en esta investigación.
El grafeno se basa en una sola capa de átomos de carbono que se organizan en una estructura de panal, en un intento de sintetizar los semiconductores y componentes de circuitos que se utilizan. Un equipo de científicos de la Universidad de Wisconsin en Milwaukee (UW-M) en Estados Unidos, dirigidos por Junhong Chen (ingeniería mecánica) y Marija Gajdardziska (física) tropezó con el Monóxido de grafeno como posible solución para desarrollar semiconductores. El descubrimiento que se realizo de forma accidental, ya que estaban tratando de obtener puras hojas de grafeno a partir de su investigación a partir de óxido de grafeno. El calentamiento de óxido de grafeno a diferentes temperaturas produjo cuatro sustancias diferentes que el equipo bautizo como el grafeno de monóxido de carbono (OGM).
El recién descubierto OMG exhibió diversas propiedades que permitió al equipo concluir que puede ser utilizado como un material semiconductor. Como OMG está formada en hojas, puede incluso utilizarse como un catalizador de superficie y el equipo que descubrió esta estructura única de OMG, piensa que sus propiedades semiconductoras son la esperanza para sintetizar semiconductores en un futuro.
El monóxido de grafeno es un descubrimiento reciente y tardara mucho tiempo, hasta que los investigadores comprendan todo su potencial. El equipo admite que todavía tienen que probar cómo responde OGM a diferentes temperaturas y cuan estable puede estar en condiciones reales de trabajo. La comprensión de cómo el calor afecta el monóxido de grafeno es el siguiente gran paso hacia adelante en esta investigación.
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